超薄垫片的蚀刻加工工艺

　　超薄垫片广泛应用于精密仪器、微电子封装、航空航天等对厚度公差和表面平整度要求极高的领域。其典型厚度范围为0.02mm至0.1mm，传统冲压或激光切割易产生毛刺、变形或热影响区，而化学蚀刻则凭借无机械应力、高一致性与复杂图形适应性，成为首选制造工艺。

　　蚀刻加工超薄垫片的第一步是材料选型。常用材料包括304/316不锈钢、磷青铜、因瓦合金等，需具备良好的延展性、耐腐蚀性及尺寸稳定性。原材料通常以卷状形式供应，经精密轧制确保厚度公差≤±0.002mm。

　　随后进行前处理：通过碱洗去除轧制油，再用酸洗活化表面，提升光刻胶附着力。接着采用旋涂或帘式涂布方式，在基材双面均匀覆盖感光干膜或液态光刻胶，厚度控制在10–20μm。

　　曝光环节是精度控制的关键。使用高分辨率紫外光刻机配合定制掩膜版，将垫片轮廓及内部孔槽图形精准转移至光刻胶层。显影后，未曝光区域被溶解，露出金属基底。

　　进入蚀刻阶段，工件被送入喷淋式蚀刻设备。常用蚀刻液为三氯化铁（FeCl₃）或硝酸-氢氟酸混合体系，通过精确调控浓度、温度（通常40–50℃）、喷射压力及时间，实现各向同性均匀蚀刻。由于超薄材料易受流体冲击变形，需采用低压力、双面对称喷淋，并辅以支撑夹具。

　　蚀刻完成后，经去膜、中和、超声波清洗等步骤彻底清除残留化学物。最后进行全检：利用光学测量仪检测厚度、平面度（通常要求≤5μm）、孔位精度（±0.01mm）及边缘粗糙度。合格品真空包装，防止氧化或污染。

　　超薄垫片蚀刻工艺的核心优势在于可批量制造复杂微结构，且无毛刺、无应力，特别适用于MEMS、传感器密封环、光学对焦组件等高端场景。